В России разработан новый востребованный материал на основе нитрида индия
Российские ученые из Санкт-Петербурга научились синтезировать практически бездефектные кристаллы нитрида индия на кремнии. Получение таких высококачественных кристаллов позволяет использовать их для создания фотодетекторов ближнего инфракрасного диапазона, датчиков газа, устройств передачи информации на дальние расстояния по оптоволоконным линиям связи, а также устройств квантовых телекоммуникаций и фотонных интегральных схем. Разработка выполнена на базе Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета имени Ж. И. Алферова Российской академии наук в рамках Центра компетенций НТИ «Фотоника».
Как разъяснили авторы проекта, это первая такая разработка в России. Задача при этом решалась достаточно сложная, так как кремний не подходит для роста кристаллов нитрида индия и ранее для этих целей использовались другие дорогостоящие материалы. Но российские ученые выбрали кремний, как самый распространенный материал на нашей планете, и смогли добиться высокого качества полученных кристаллов, рекордного для нашей страны.
Где можно практически использовать новую технологию? Сообщается, что полупроводниковые лазеры на основе нитрида индия можно применять в медицине, где проникновение лазерного луча будет минимально, что более безопасно для пациентов. Другая сфера применения – датчики разного назначения: газа, метеодатчики, инфракрасного света. Еще одно направление – создание эффективных лазеров для передачи информации по оптоволоконным линиям связи.
Ученые особо отмечают, что их решение в отличие от аналогичных, используемых в других странах мира, дешевле более чем в пять раз. «Наше решение определенно имеет выигрыш с точки зрения коммерциализации. Развиваемая технология выгоднее по причине использования подложек кремния. Так, например, на сегодняшний день, цены на подложки следующие: подложки кремния – от ~5 $/шт.; подложки GaAs, традиционно используемые для создания лазеров в ближнем ИК-диапазоне – от ~80 $/шт», — говорит научный сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий Алферовского университета Владислав Гридчин.
